名前: | チタニウムの放出させるターゲット高い純度チタニウム ターゲット | キー ワード: | チタニウムの放出させるターゲット |
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適用: | コーティング、電子産業 | 等級: | 純粋なGr1 TA1 |
密度: | 4.51g/cm3 | 純度: | 99.9%-99.999% |
純度1: | 2N8-4N | 材料: | 純粋なジルコニウム、純粋なニオブ(Nb)ターゲット |
ハイライト: | 円柱ジルコニウム ターゲット,純粋なジルコニウムの放出させるターゲット,TA1ニオブの放出させるターゲット |
直径60/65/95/100*30/32/40/45mmのチタニウムのaputteringターゲット
カスタマイズされたチタニウム ターゲット チタニウムの円形ターゲット
プロダクト | 純粋なチタニウム(チタニウム)ターゲット) |
純度 | 2N8-4N |
密度 | 4.51g/cm3 |
コーティングの支配的な色 | 赤く/黒い金の青/ローズ |
形 | 円柱 |
概要のサイズ | 直径60/65/95/100*30/32/40/45mm |
通常私達は商品をこのような質の点検報告に与える、
化学成分および物理的性質を示すかどれが
供給のチタニウムの正方形ターゲット、チタニウムの円形ターゲット、チタニウムの特別型ターゲット
純度はターゲットの主要なパフォーマンス インジケータの1つである、
ターゲットの純度に薄膜の性能の大きい影響があるので。
ターゲットの主要な性能要件:
純度
純度はターゲットの純度に薄膜の性能の大きい影響があるので、ターゲットの主要なパフォーマンス インジケータの1つである。但し、実用化に、ターゲットの純度のための条件は同じではない。例えば、マイクロエレクトロニクス工業の急速な開発と、シリコンの薄片のサイズは6"から、12"への8"開発され、配線の幅は0.5umから0.25um、0.18umまた更に0.13umに減った。以前は、ターゲット純度は99.995%だった。それは0.18umラインの準備は目標資料の純度のために99.999%また更に99.9999%を要求するが0.35um ICのプロセス条件を満たすことができる。
不純物内容
気孔のターゲット固体の不純物はおよび酸素および湿気沈殿させたフィルムのための汚染の主要なもとである。異なった使用のターゲットに異なった不純物内容のための異なった条件がある。例えば、半導体工業で使用される純粋なアルミニウムにおよびアルミ合金 ターゲットにアルカリ金属の内容および放射性元素の内容のための特別な条件がある。
密度
ターゲット固体の気孔を減らし、放出させたフィルムの性能を改善するために、ターゲットは通常高密度があるように要求される。ターゲットの密度はフィルムの放出させる率、また電気および光学的性質にだけでなく、影響を与える。より高いターゲット密度、よりよいフィルムの性能。さらに、ターゲットの密度そして強さを高めることはターゲットがよりよく放出させることの間に熱圧力に抗するようにする。密度はまたターゲットの主要なパーフォーマンスの表示器の1つである。
結晶粒度および結晶粒度の配分
目標資料は多結晶性構造通常であり、結晶粒度はミリメートルにマイクロメートルの順序である場合もある。同じ目標資料のために、良い穀物が付いているターゲットの放出させる率は粗粉が付いているターゲットのそれより速い;より小さい結晶粒度の相違(均一配分)を用いるターゲットの放出させることによって沈殿する薄膜均一のの厚さの配分が間。
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